基本MOS器件物理

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本章是CMOS模拟集成电路设计的基础，在本章中，主要介绍在CMOS模拟集成电路中的有源器件与无源器件：对于有源器件主要从MOS晶体管的基本结构出发，分析其阈值电压及基本特性（输入输出特性、转移特性等），介绍MOS管的寄生电容，简要描述MOS管的主要的二次效应，进而得出其低频小信号等效模型和高频小信号等效模型，并介绍了有源电阻的结构与特点。本章对无源器件，即模拟集成电路中常用的电阻、电容等进行了介绍，分析了它们的结构及其特点。另外还介绍了等比例缩小理论及其短沟道效应及狭沟道效应，以及MOS器件模型。2.1有源器件在CMOS模拟集成电路中的有源器件主要是指MOS晶体管所构成的三极管、二极管（稳压二极管），当然在某些电路中还使用双极型三极管（NPN、PNP）。在本节中重点对MOS管进行介绍。2MOS管的几何参数如图2.1所示，场效应管中有三个主要的几何参数：沟道长L、沟道宽W及栅氧厚度tox。沟， 名称：基本MOS器件物理，我们己经对基本MOS器件物理进行杀毒，以保证您的安全下载基本MOS器件物理，下载的压缩文件如果需要密码那就是 http://www.xuehuiba.com，基本MOS器件物理的文件大小为565 KB。