MOS器件物理－－转移特性曲线

标签：安全生产管理制度,精益生产管理,
转移特性曲线在一个固定的VDS下的MOS管饱和区的漏极电流与栅源电压之间的关系称为MOS管的转移特性。转移特性曲线在实际应用中，生产厂商经常为设计者提供的参数中，经常给出的是在零电流下的开启电压，注意，Vth0为无衬偏时的开启电压，而是在与VGS特性曲线中与VGS轴的交点电压，实际上为零电流的栅电压从物理意义上而言，为沟道刚反型时的栅电压，仅与沟道浓度、氧化层电荷等有关；而Vth0与人为定义开启后的IDS有关。转移特性曲线从转移特性曲线可以得到导电因子KN（或KP），根据饱和萨氏方程可知：即有：所以KN即为转移特性曲线的斜率。MOS管的直流导通电阻定义：MOS管的直流导通电阻是指漏源电压与漏源电流之比。饱和区：线性区：深三极管区：MOS管的最高工作频率定义：当栅源间输入交流信号时，由源极增加（减小）流入的电子流，一部分通过沟道对电容充（放）电，一部分经过沟道流向漏极，形成漏源电流的增量，当， 名称：MOS器件物理－－转移特性曲线，我们己经对MOS器件物理－－转移特性曲线进行杀毒，以保证您的安全下载MOS器件物理－－转移特性曲线，下载的压缩文件如果需要密码那就是 http://www.xuehuiba.com，MOS器件物理－－转移特性曲线的文件大小为318 KB。