MOS器件物理－－MOS管交流小信号模型

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MOS管交流小信号模型MOS管低频小信号模型小信号是指对偏置的影响非常小的信号。由于在很多模拟电路中，MOS管被偏置在饱和区，所以主要推导出在饱和区的小信号模型。在饱和区时MOS管的漏极电流是栅源电压的函数，即为一个压控电流源，电流值为gmVGS，且由于栅源之间的低频阻抗很高，因此可得到一个理想的MOS管的小信号模型，如图所示。MOS管交流小信号模型其中（a）为理想的小信号模型。实际的模拟集成电路中MOS管存在着二阶效应，而由于沟道调制效应等效于漏源之间的电阻ro；而衬底偏置效应则体现为背栅效应，即可用漏源之间的等效压控电流源gmbVBS表示，因此MOS管在饱和时的小信号等效模型如图(b)所示。上图所示的等效电路是最基本的，根据MOS管在电路中不同的接法可以进一步简化。MOS管交流小信号模型MOS管高频小信号等效电路在高频应用时，MOS管的分布电容就不能忽略。即在考虑高频交流小信号工作时必， 名称：MOS器件物理－－MOS管交流小信号模型，我们己经对MOS器件物理－－MOS管交流小信号模型进行杀毒，以保证您的安全下载MOS器件物理－－MOS管交流小信号模型，下载的压缩文件如果需要密码那就是 http://www.xuehuiba.com，MOS器件物理－－MOS管交流小信号模型的文件大小为6.73 MB。